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項(xiàng)目經(jīng)歷（案例一）

項(xiàng)目時(shí)間：2016-03到2015-09項(xiàng)目名稱：圓鋸垂直度問題項(xiàng)目描述：項(xiàng)目介紹項(xiàng)目描述：

1.市場(chǎng)部反饋一直有客戶反饋圓鋸具有垂直都不良問題。2.永久性的解決垂直都不良問題。

1.分析此問題產(chǎn)生的原因2.運(yùn)用對(duì)比方法，魚骨圖，頭腦風(fēng)暴。3.提出改善方案，與設(shè)計(jì)部的人員一起做驗(yàn)證。4.跟蹤試產(chǎn)及收集驗(yàn)證結(jié)果。5.近一年沒在收到此問題的客訴。我的職責(zé)1.負(fù)責(zé)整個(gè)項(xiàng)目運(yùn)行。

項(xiàng)目經(jīng)歷（案例二）

項(xiàng)目時(shí)間：2015-09到2015-09項(xiàng)目名稱：新品推廣上市項(xiàng)目描述：項(xiàng)目介紹1、在公司2015年9月推出新品，蓓純?cè)袐D系列護(hù)膚品。由我負(fù)責(zé)全權(quán)與萬寧協(xié)商，利用多種銷售方式推動(dòng)下，成功把該新品鋪貨到全國(guó)所有萬寧店鋪。2、在2016年萬寧系統(tǒng)中，蓓純?cè)谠袐D護(hù)膚品產(chǎn)品中銷售Top 1，此外，在全公司各系統(tǒng)中，我個(gè)人負(fù)責(zé)的系統(tǒng)蓓純新品出貨銷售超過全公司出貨的50%以上。PS:隨現(xiàn)在護(hù)理觀念的更新，孕婦的護(hù)理也越來越受重視。公司特別研發(fā)并推出“蓓純媽媽護(hù)理”系列護(hù)膚品，包括面膜、精華液、爽膚水、潔面乳、面霜等等一般女性日常護(hù)理所用的產(chǎn)品。新品上市更需要的上市推廣，終端推廣等手段，并考慮費(fèi)比等因素的情況下能把新品在市場(chǎng)得到認(rèn)同。我的職責(zé)

項(xiàng)目經(jīng)歷（案例三）

項(xiàng)目時(shí)間：2017-07到2015-09項(xiàng)目名稱：智和在線教育云平臺(tái)項(xiàng)目描述：項(xiàng)目介紹該項(xiàng)目是一款基礎(chǔ)設(shè)施類項(xiàng)目，主要為第三方應(yīng)用提供加密算法和密鑰；保證點(diǎn)與點(diǎn)之間數(shù)據(jù)安全傳輸。終端應(yīng)用（MFC框架），經(jīng)由外聯(lián)接口加/解密，外聯(lián)接口通過共享內(nèi)存查找網(wǎng)點(diǎn)密鑰。密鑰協(xié)商服務(wù)器和密鑰協(xié)商客戶端協(xié)商密鑰，寫共享內(nèi)存并在Oracle數(shù)據(jù)庫備份。密鑰協(xié)商服務(wù)器配置終端（SecMngAdmin）管理接入的網(wǎng)點(diǎn)應(yīng)用，完成網(wǎng)點(diǎn)生命周期管理；還可以進(jìn)行歷史密鑰管理、審計(jì)管理等等。我的職責(zé)通訊SocketApi 組件: 封裝Linux和Win下基本SocketApi 基于socket連接池 win下和linux下異構(gòu)通訊 報(bào)文編解碼組件 : 使用ASN.1編碼規(guī)則，封裝報(bào)文編解碼接口 win和linux平臺(tái)下動(dòng)態(tài)庫的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) win和linux源碼的移植

項(xiàng)目經(jīng)歷（案例四）

項(xiàng)目時(shí)間：2012-04到2015-09項(xiàng)目名稱：AlGaN/GaN HEMT器件的PL譜研究項(xiàng)目描述：項(xiàng)目介紹主要對(duì)用MOCVD方法生長(zhǎng)AlGaN/GaN HEMT件的PL譜做系統(tǒng)研究，主要包括對(duì)器件制作過程中襯底材料的選擇、對(duì)生長(zhǎng)方法（LEO、MOVPE）優(yōu)略性的比較（缺陷、裂紋和雜質(zhì)），并用PL光譜對(duì)AlGaN/GaN HEMT器件的性能做出表征；了解并學(xué)習(xí)用MOCVD法制備AlGaN/GaN HEMT 器件的相關(guān)儀器設(shè)備；研究HEMT器件的質(zhì)量、性能與缺陷、裂紋和雜質(zhì)的PL表征方法，并分析試驗(yàn)結(jié)果。 本研究的意義：氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)已廣泛應(yīng)用于高功率，高電壓，高頻率電子產(chǎn)品。GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙（室溫下禁帶寬為3.4eV）；此外，強(qiáng)的原子鍵、介電常數(shù)低、高的熱導(dǎo)率、高的擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在全彩顯示、光電子、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、半導(dǎo)體照明、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的發(fā)展前景。我的職責(zé)參與并組織團(tuán)隊(duì)及合作方進(jìn)行項(xiàng)目開題，提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，調(diào)研相關(guān)材料，組織實(shí)驗(yàn)分析，與合作學(xué)校進(jìn)行技術(shù)溝通，進(jìn)行技術(shù)總結(jié)匯報(bào)及相關(guān)項(xiàng)目驗(yàn)收。